下表展示的是微晶片封裝分析類型的可用分析技術。
執行中間平面或 Dual Domain 分析時，可選取兩種求解器：
- 不可壓縮的求解器
- 可壓縮的求解器
可以使用的分析順序取決於您所使用的網格類型。
| 分析類型 | 分析技術 |
|---|---|
| 充填 |
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| 充填與保壓 (或流) |
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| 充填、保壓 (或流) 與金線偏移 |
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| 金線偏移詳細資料 |
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| 充填、保壓 (或流) 與晶墊偏移 |
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| 充填、保壓與動態晶墊偏移 |
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| 充填、保壓 (或流)、金線偏移與晶墊偏移 |
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| 充填、保壓、動態晶墊偏移與金線偏移 |
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| 充填、保壓與翹曲 |
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| 翹曲1 |
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| 流道平衡 |
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| 排氣 (「製程設定」選項) |
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| 冷卻 (FEM) |
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| 冷卻 (FEM)、充填與保壓 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與金線偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與金線偏移詳細資料 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與晶墊偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與動態晶墊偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓、晶墊偏移與金線偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓、動態晶墊偏移與金線偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與翹曲 |
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