半導体封止成形の解析タイプおよび解析テクノロジ

次の表は、半導体封止成形の解析タイプで使用可能な解析テクノロジを示しています。

Midplane または Dual Domain 解析を実行する場合は、次の 2 種類のソルバーから選択できます。

利用可能な解析順序は、使用するメッシュ タイプに応じて異なります。

半導体封止成形プロセスと解析タイプ
解析タイプ 解析テクノロジ
充填 Midplane Dual Domain
充填+保圧 (または流動) Midplane Dual Domain 3D
充填+保圧 (または流動) +ワイヤー スィープ Midplane Dual Domain 3D
ワイヤー スイープ詳細 3D
充填+保圧 (または流動) +パドル シフト Midplane Dual Domain 3D
充填+保圧+ダイナミック パドル シフト 3D
充填+保圧 (または流動) +ワイヤー スィープ+パドル シフト Midplane Dual Domain
充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ 3D
充填+保圧+反り Midplane Dual Domain 3D
反り1 Midplane Dual Domain 3D
ランナーバランス Midplane Dual Domain
ベント(プロセス設定オプション) 3D
冷却(FEM) 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ詳細 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+パドル シフト 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+パドル シフト+ワイヤー スイープ 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ 3D
冷却 (FEM)+充填+保圧+反り 3D
1 Midplane または Dual Domain の解析テクノロジで反り解析を実行するには、圧縮性ソルバーを使用する解析順序を選択する必要があります。