次の表は、半導体封止成形の解析タイプで使用可能な解析テクノロジを示しています。
利用可能な解析順序は、使用するメッシュ タイプに応じて異なります。
解析タイプ | 解析テクノロジ |
---|---|
充填 |
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充填+保圧 (または流動) |
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充填+保圧 (または流動) +ワイヤー スィープ |
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ワイヤー スイープ詳細 |
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充填+保圧 (または流動) +パドル シフト |
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充填+保圧+ダイナミック パドル シフト |
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充填+保圧 (または流動) +ワイヤー スィープ+パドル シフト |
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充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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充填+保圧+反り |
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反り1 |
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ランナーバランス |
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ベント(プロセス設定オプション) |
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冷却(FEM) |
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冷却 (FEM)+充填+保圧 |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ詳細 |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+パドル シフト |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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冷却 (FEM)+充填+保圧+反り |
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