성장 시작 위치 결과

충전 해석에서 생성되는 성장 시작 위치 결과는 제품 내 유동의 균형 여부를 결정할 수 있도록 멀티 게이트 제품의 각 게이트에서 충전되는 영역을 표시합니다.

균등 충전을 표시하는 성장 시작 위치 결과가 균형을 이루게 됩니다. 다른 게이트가 제품의 동일 섹션 충전을 시도하고 있다고 표시하는 성장 시작 위치 결과는 불균형이 됩니다. 불균등 충전(왼쪽)과 균등 충전(오른쪽)이 다음 다이어그램에 나타나 있습니다.

성장 시작 위치 결과에서는 숫자를 사용하여 고분자가 사출된 게이트를 식별합니다. 충전 해석이 완료되면 성장 시작 위치 결과가 제품의 충전 패턴을 나타내며 어떤 게이트로부터 제품의 어떤 영역이 충전되었는지 표시합니다.

결과 사용

게이트 위치 해석에서 모델 상의 보다 적합한 게이트 위치를 결정하고 여러 방법으로 성장 시작 위치 결과를 개선할 수 있습니다. 변경의 결과로 대개 부작용이 나타나므로 변경 후에는 다른 문제가 발생했는지 확인해야 합니다.

문제	해결
불균형 유동 패턴의 원인은 다음과 같을 수 있습니다. 한 게이트로부터 보다 빠르게 고분자가 충전됨 양쪽 게이트로부터 고분자가 제품의 동일 섹션을 충전하려 시도함	사출 주입점을 변경하여 균형된 충전 패턴이 되도록 하십시오. 문제 영역의 모델 지오메트리를 재설계하십시오.
웰드 또는 멜드 라인이 민감한 영역에 있습니다.	게이트 위치를 변경하십시오. 제품 두께를 변경하십시오. 용융 및 금형 온도를 높이십시오. 램 속도를 높이십시오. 러너 시스템 설계를 최적화하십시오.

동일한 색상 분포를 표시하는 결과가 충전 패턴도 균등하고 균형도 이루게 됩니다. 색상 분포가 다르면 유동이 불균형됩니다.