金线偏移指数结果
金线偏移指数
结果表示塑料流通过集成电路导线时产生的力。
金线偏移指数
结果通过
微芯片封装
分析生成。
将为每条金线计算并绘制金线偏移指数,如下:
分析找到金线在平面方向上的最大位移点。
注:
采用双层面分析技术时,使用整条金线的最大位移点。采用 3D 分析技术时,使用每段中具有最大位移的节点。
用金线长度除以此最大位移。
结果即为每条金线的金线偏移指数。
注:
为了计算金线偏移指数结果,必须在
Autodesk Simulation Moldflow Insight
中执行金线偏移计算。
提示:
编辑微芯片选项求解器参数(
“主页”选项卡
>
“成型工艺设置”面板
>
“工艺设置”
,
“曲线设置”
页面,
“高级选项”
按钮,
“求解器参数”
区域,然后单击
“编辑”
显示
“反应成型求解器参数”
对话框)。选择“
金线偏移/晶片位移
”选项卡。将
“进行金线偏移/晶片位移模拟,在”
下拉框设置为
Autodesk Simulation Moldflow Insight
。
父主题:
微芯片封装分析结果