微芯片封装分析类型

微芯片封装分析具有多种不同的类型。

预先确定条件分析可计算出环氧树脂成型复合物 (EMC) 预塑在放入转移缸中后、传递到模具前的温度和固化程度的分布。通常，转移缸的温度高于预先加热过的预塑温度，并且预塑的温度和固化程度在缸中将发生改变。预先确定条件分析计算预塑的平均温度和固化程度并将所得的数据传递到后续的填充和固化分析中。此外，如果没有相关数据，则可以省略预先确定条件分析。

模具-填充和固化分析由“反应成型”执行。

金线偏移用于计算封装过程中发生的接合线（将芯片连接到导线架）变形。此计算可改善模具设计和工艺条件，以避免封装过程中发生金线偏移。金线变形可通过在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中使用翘曲模块在内部计算，也可以使用 Abaqus 在外部计算。

提示： 此设置可在微芯片封装分析的求解器参数“进行金线偏移/晶片位移模拟，在”选项中指定。

3D 微芯片封装还支持金线偏移详述分析，该分析不仅说明了金线对液体流的影响，也说明了液体流对金线的影响。3D 芯片型腔模型必须包含金线型腔以及金线本身。完成金线偏移详述分析所花费的时间比常规金线偏移分析要多，但是变形计算会更加准确。

晶片位移分析用于计算由于导线架分隔开的两个子型腔之间的压力差导致的晶片变形。微芯片封装用于计算型腔中的压力。可以在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中使用翘曲模块在内部计算由于型腔中的压力差而导致的导线架变形，也可以使用 Abaqus 在外部计算。

提示： 此设置可在微芯片封装分析的求解器参数“进行金线偏移/晶片位移模拟，在”选项中指定。

3D 微芯片封装也支持动态晶片位移模拟，其中晶片位移是在填充过程中多次重新计算所得。在发生巨大变形时，此分析可提供比较准确的最终晶片位移预测。动态晶片位移分析包括一个在压力迭代过程中执行型芯偏移分析的选项，只有使用 3D 单元构建晶片该选项才有效。如果晶片是用外壳单元建模的，则不能执行附加的型芯偏移分析。