下列分析順序適用於微晶片封裝成型製程：
此成型製程模擬適用於下列網格類型 ：
中間平面 
Dual Domain 
3D
| 分析順序 | 網格類型 |
|---|---|
| 充填 (可壓縮) |
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| 充填與保壓 |
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| 充填與保壓 (可壓縮) |
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| 流 (不可壓縮) |
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| 充填、保壓與翹曲 |
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| 充填、保壓與翹曲 (可壓縮) |
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| 充填、保壓與金線偏移 |
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| 充填、保壓與金線偏移 (可壓縮) |
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| 流動與金線偏移 (不可壓縮) |
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| 充填、保壓與金線偏移詳細資料 |
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| 充填、保壓與晶墊偏移 |
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| 充填、保壓與晶墊偏移 (可壓縮) |
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| 流動與晶墊偏移 (不可壓縮) |
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| 充填、保壓與動態晶墊偏移 |
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| 充填、保壓、晶墊偏移與金線偏移 |
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| 充填、保壓、金線偏移與晶墊偏移 (可壓縮) |
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| 流動、金線偏移與晶墊偏移 (不可壓縮) |
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| 充填、保壓、動態晶墊偏移與金線偏移 |
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| 流道平衡 (可壓縮) |
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| 流道平衡 (不可壓縮) |
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| 冷卻 (FEM) |
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| 冷卻 (FEM)、充填與保壓 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與翹曲 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與金線偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與金線偏移詳細資料 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與晶墊偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓與動態晶墊偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓、晶墊偏移與金線偏移 |
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| 冷卻 (FEM)、充填、保壓、動態晶墊偏移與金線偏移 |
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記住: 流動是指充填與保壓分析順序。
註: 針對 3D 網格類型，沒有選項可用於選取可壓縮或不可壓縮，因為分析會根據輸入的 pvT 資料執行。
您也可以透過在求解器參數對話方塊的「排氣分析」頁籤 (可透過「製程設定精靈」存取) 選取選項，來執行排氣分析 (僅適用於 )。