DOE 建立器 - 品質標準頁籤

此頁籤用於選取您要在「DOE 建立器」的「變數」頁籤中所選取之約束下研究的分析結果。

填充與保壓 . 這些標準適用於所有網格類型 (除非另有說明)。
品質標準 分析目標;以尋找能夠達成以下目的的條件
填充結束時的整體溫度

最小化整體溫度變化 (僅限中間平面與 Dual Domain 網格類型)。

鎖模力

最小化在填充期間使模具處於關閉狀態需要的鎖模力。

射壓

在包含流道時,將螺桿需要來使材料流動的壓力最小化至機器壓力限制的 75% 或更小。

剪應力

最小化在母模仁中流動的塑膠層之間的剪應力或摩擦力,其可導致塑膠降解,及因為應力裂痕而導致成型失敗 (僅限中間平面與 Dual Domain 網格類型)。

縮痕深度

最小化可能因曲面反面的特徵所導致的縮痕深度。

流動波前溫度

使填充階段的流動波前溫度變化降到最低,其變化幅度不應超過 2-5°C。

冷卻時間

使冷卻時間達到最短,進而使達到頂出的時間縮到最短。

頂出時的體積收縮

最小化整個零件的體積收縮變化,進而減少翹曲。

保壓結束時的時間

使達到保壓結束所需要的時間縮到最短,以最佳化週期時間 (僅限中間平面與 Dual Domain 網格類型)。

零件重量/質量

最小化零件重量 (不含流道),進而減少週期時間與生產成本。

冷卻與冷卻 (FEM)

最小化

  以下標準僅適用於共射出成型製程與中間平面網格。
聚合物 A 的體積

最小化聚合物 A 的體積,進而確保有足夠剩餘空間可用於公模仁材料。

聚合物 B 的體積

最大化聚合物 B 的體積,進而確保零件已完全填充。

聚合物 A 的重量

最小化聚合物 A 的重量,進而確保有足夠剩餘空間可用於公模仁材料。

聚合物 B 的重量

最大化聚合物 B 的重量,進而確保零件已完全填充。

冷卻與冷卻 (FEM) . 這些標準適用於所有網格類型的熱塑成型製程 (除非另有說明)。
品質標準 分析目標;以尋找能夠達成以下目的的條件
模穴曲面平均溫度

最小化模穴曲面平均溫度,以使週期時間達到最短並最佳化零件品質 (僅適用於「冷卻 (FEM)」)。

模具表面平均溫度

使塑膠/金屬的介面處 (塑膠於該位置接觸到模具) 模具的溫度達到最低,以最佳化冷卻時間。

迴路壓力

最小化迴路壓力,進而最佳化冷卻系統。

迴路雷諾數

最小化雷諾數的變化,進而最佳化冷卻劑流速。

零件熱通量 (頂部/底部)

最小化整個模具/零件介面的熱通量變化,以使週期時間達到最短並使翹曲達到最少。

凝固層百分比

最小化凝固層的百分比 (僅限「冷卻 (FEM)」),以使發生翹曲的可能性降到最低。

熔解層百分比

最小化熔解層的百分比 (僅限「冷卻 (FEM)」),以使發生翹曲的可能性降到最低。

迴路冷卻劑溫度

最小化從冷卻劑入口到冷卻劑出口的冷卻劑溫度變化,其不應超出 2-3°C。

迴路金屬溫度

最小化整個週期中金屬冷卻迴路的溫度變化,其不應超出入口溫度以上的 5°C。

模具表面溫度 (頂部/底部)

最小化塑膠/金屬的介面處模具的溫度變化,以使冷卻與翹曲問題減到最少。

溫差,零件

最小化零件頂部與底部之間的溫度變化,其不應超出 5°C (僅限中間平面)。

冷卻時間

最小化整個零件的冷卻時間變化,以最佳化週期時間。

最高零件溫度

使零件溫度達到最低,以使週期時間達到最短並使零件翹曲達到最少。

週期時間

使週期時間達到最短,進而最大化流量及最小化成本。

翹曲 . 這些標準適用於所有網格類型。
品質標準 分析目標;以尋找能夠達成以下目的的條件
撓曲,所有影響

最小化撓曲變化,以使翹曲達到最少。

應力 . 這些標準適用於所有網格類型的熱塑成型製程 (除非另有說明)。
品質標準 分析目標;以尋找能夠達成以下目的的條件
小型撓曲,應力

最小化撓曲變化,以使翹曲達到最少。

大型撓曲,應力

最小化撓曲變化,以使翹曲達到最少。

最大剪應力

最小化在母模仁中流動的塑膠層之間的剪應力變化,其可導致塑膠降解,及因為應力裂痕而導致成型失敗。

Mises-Hencky 應力

最小化 Mises-Hencky 應力變化,其可導致塑膠降解,及因為應力裂痕而導致成型失敗。

收縮 . 這些標準適用於中間平面與 Dual Domain 網格類型的熱塑成型製程。
品質標準 分析目標;以尋找能夠達成以下目的的條件
線性收縮

最小化線性收縮的變化。

線性收縮中的錯誤

最小化線性收縮的變化。

雙色成型 . 這些標準適用於雙色成型成型製程。
品質標準 註釋
第二次射出,填充結束時的整體溫度

僅限中間平面與 Dual Domain

第二次射出,鎖模力  
第二次射出,射壓  
第二次射出,剪應力

僅限中間平面與 Dual Domain

第二次射出,流動波前溫度  
第二次射出,冷卻時間  
第二次射出,頂出時的體積收縮  
第二次射出,保壓結束時的時間

僅限中間平面與 Dual Domain

第二次射出,週期時間

僅限 3D

第二次射出,零件質量/重量  
微晶片封裝 . 這些標準僅適用於微晶片封裝成型製程。
品質標準 註釋
晶墊位移

僅限 3D

Von Mises 應力

僅限 3D

金線偏移

僅限中間平面與 Dual Domain

第一主應力,金線

僅限中間平面與 Dual Domain

金線剪應力

僅限中間平面與 Dual Domain

Mises-Hencky 應力,金線

僅限中間平面與 Dual Domain

金線偏移指數

僅限中間平面與 Dual Domain

平面內金線偏移

僅限中間平面與 Dual Domain

晶墊偏移

僅限中間平面與 Dual Domain

第一主應力,晶墊

僅限中間平面與 Dual Domain

晶墊剪應力

僅限中間平面與 Dual Domain

Mises-Hencky 應力,晶墊

僅限中間平面與 Dual Domain