晶墊偏移分析可用來預測導線架的上層與下層母模仁之間因壓力不平衡所導致的偏移。
晶墊偏移分析可做為微晶片封裝成型製程的一部分執行。「晶墊偏移」分析會計算由於被導線架分隔開的兩個子母模仁中的壓力差異所產生的晶墊變形。「微晶片封裝」會計算母模仁中的壓力。由於母模仁中壓力差異所導致的導線架變形可在內部使用「翹曲」模組計算，或在外部使用 Abaqus 計算。
「3D 微晶片封裝」也支援「動態晶墊偏移」模擬，並且會在充填期間多次重複計算晶墊偏移。發生大型變形時，此分析可對最終晶墊偏移提供更準確的預測。動態晶墊偏移分析包括在壓力迭代期間執行「公模仁偏移」分析的選項，若已使用 3D 元素為晶墊塑型，則可使用此選項。但是，若已使用薄殼元素為晶墊塑型，則無法執行其他「公模仁偏移」分析。