「製程設定精靈」對話方塊 -「覆晶充填封裝設定」

「製程設定精靈」的此頁面用於為分析順序指定覆晶充填封裝相關製程設定。若要存取此對話方塊，請確定已將成型製程設定為「覆晶充填封裝」。按一下 (「常用」頁籤 > 「成型製程設置」面板 > 「製程設定」)，以開啟「覆晶充填封裝設定」對話方塊。

初始封膠溫度	指定封膠在製程一開始進入晶片母模仁時的溫度。 在大多數情況下，可以將此溫度假定為與基質溫度相同。
初始封膠轉換	指定封膠在製程開始之前的初始轉換 (固化) 等級。 若要指定轉換等級，請輸入介於 -1 與 1 之間的值，其中： -1 = 開始感應期 (相關情況下) 0 = 開始轉換 1 = 結束轉換
基質溫度	指定製程期間的基質溫度。 基質溫度在決定潛流速度方面具有重要作用。基質溫度的典型值為 100°C / 212°F。
固化溫度	熱固性材料從加熱變為充分交聯，以形成固體或固化的溫度。
固化時間	熱固性材料從加熱變為充分交聯，以形成固體並凝固所花費的時間。
動態分配分析	勾選此方塊可啟用動態分配。動態分配可讓您模擬經過多次傳遞完成的覆晶充填封裝分配，其中的每一個射出位置會在不同的時間開啟，以說明分配期間的時間延遲。 「執行動態分析」的選項只適用於 3D 模型。
進階選項...	顯示分析的進階選項。