ペルチェモジュールとも呼ばれるペルチェ素子デバイスは、重要な部品およびアイテムから熱を逃がすための、ソリッドステート半導体ベースの「ヒートポンプ」部品です。これには様々なサイズおよび性能があり、エレクトロニクス、医療（組織を冷却しておく搬送装置など）、食料品／飲料品（クーラー装置）などを含む様々な用途で利用されています。
TECデバイスの動作原理はペルチェ効果です。これは、2つの異なる金属に直流電流を流すと温度差が生じるという現象です。
ペルチェ素子デバイスは通常、2枚のセラミックプレートの間に一連の（1～数百）熱電対を挟んだもので構成される。熱電対はビスマス-テルル材料をドープしたN型およびP型半導体で構成される。N型材料は電子が過剰、P型材料は電子が欠乏している。TECデバイスの熱電対は電気的には直列、熱的には並列に接続されています。
TECデバイスは多くの場合冷却に使用されますが、加熱に使用される場合もあります。どちらの場合も、正確な温度制御が必要なアプリケーションに適しています。TECデバイスの動作にはDC電源が必要であり、極性が熱の移動方向（冷から熱、熱から冷へ）を決定します。
TECデバイスを簡単に表した図を以下に示します。
この図では、TECデバイスは冷却用として使用されています。
TECデバイスを定義するための代表的な入力項目は以下の通りです：
- I = 電流
- V = 電圧
- Tc = 低温側温度
- Th = 高温側温度
- DT = デルタT = Th - Tc
- Pin = デバイスに入力される電力 = I*V
- Qc = モジュールに取り込まれた熱（熱が低温側に移動）
- Qh = デバイスから出された熱 = Pin + Qc
- COP = 成績係数 = Qc / Pin
- a = ゼーベック係数
- r = 電気抵抗率
- k = 熱伝導率
- h = ペルチェ素子デバイス高さ
- A = 高温または低温サーフェス面積
- G = ジオメトリファクター（ピンの断面面積と対の高さの比）
- N = 段数（メーカーの情報）
TECデバイスは熱容量を高めるため多段構成で使用される場合もあります。
モデル化ガイドライン
- ペルチェ素子はコンパクト熱モデル(CTM)材料に接触することはできません。
- ペルチェ素子デバイスは 6 面を持つ「立方体」オブジェクトにのみ適用できます。
- ペルチェ素子の加熱面、冷却面に接している部品はメッシュを作成しなければなりません。接している部品を抑制した場合、エラーが発生し、解析は実行されません。
結果の抽出と可視化
アセンブリ内でのTECデバイスの物理動作は温度をプロットすることにより可視化できます。
上の例では、熱がチップから奪われヒートシンクに移動し、ペルチェ素子デバイスのセンシング サーフェスは 25 ℃に保たれています。マウスをペルチェ素子デバイスの上に置くと、ポップアップ ウィンドウが表示され、一連のデータが表示されます。
このデータは部品温度サマリーファイルにも保存されます。これはメインメニューの、レビュー_部品温度サマリー からアクセスできます。
出力量は以下の通りです：
- 対数
- 制御モード
- ステータス（制限値を超えていない場合はNormal、そうでない場合は、デバイスの制限値を超えていることが示されます）これは、システム内でデバイスが目的のターゲット温度を満たせないことを意味します）。
- 低温側温度
- 低温側熱伝達
- 高温側温度
- 高温側熱伝達
- 消費電力
- 動作電流
- 成績係数（Qc / Pin）
- 性能指数