针对反应成型分析的纤维长度结果可用于各种工艺、网格技术和分析序列。
注： 正在使用的材料必须是纤维填充材料且具有机械属性。
反应成型
| 分析序列 | 中性面 | 双层面 | 3D |
|---|---|---|---|
| 填充 + 保压 |
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| 填充 + 保压 + 翘曲 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+翘曲 |
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| 填充（可压缩的） |
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| 填充 + 保压（可压缩的） |
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| 填充 + 保压 + 翘曲（可压缩的） |
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| 流道平衡（可压缩的） |
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微芯片封装
| 分析序列 | 中性面 | 双层面 | 3D |
|---|---|---|---|
| 填充 + 保压 |
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| 填充 + 保压 + 金线偏移详述 |
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| 填充 + 保压 + 晶片位移 |
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| 填充+保压+动态晶片位移 |
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| 填充 + 保压 + 晶片位移 + 金线偏移 |
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| 填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 |
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| 填充 + 保压 + 翘曲 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移 |
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| 冷却(FEM) + 填充 + 保压、填充 + 保压 + 金线偏移 + 晶片位移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移详述 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+翘曲 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+晶片位移+金线偏移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 |
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| 填充（可压缩的） |
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| 填充 + 保压（可压缩的） |
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| 填充 + 保压 + 翘曲（可压缩的） |
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| 填充 + 保压 + 金线偏移（可压缩的） |
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| 填充 + 保压 + 晶片位移（可压缩的） |
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| 填充 + 保压 + 金线偏移 + 晶片位移（可压缩的） |
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| 流道平衡（可压缩的） |
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压缩成型
| 分析序列 | 中性面 | 双层面 | 3D |
|---|---|---|---|
| 填充 + 保压 |
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| 填充 + 保压 + 翘曲 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+翘曲 |
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注射压缩成型
| 分析序列 | 中性面 | 双层面 | 3D |
|---|---|---|---|
| 填充 + 保压 |
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| 填充 + 保压 + 翘曲 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+翘曲 |
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