ワイヤー スイープ解析を使用して、半導体封止成形プロセスで、チップをリードフレームに接続するボンディング ワイヤーの変形を解析します。
3D 半導体封止成形には、ワイヤー スイープ詳細解析が含まれ、流体流動のワイヤーへの影響だけではなく、ワイヤーの流体流動への影響も解析します。ワイヤー スイープ詳細解析を実行するには、チップ キャビティの 3D モデルに、3D メッシュで空洞領域としてワイヤー キャビティをモデリングする必要があります。
| ワイヤー スイープ詳細 | ワイヤー スイープ |
|---|---|
| 充填+保圧解析のチップ キャビティの 3D モデルに、ワイヤー キャビティ領域 (空洞としてモデリング) が含まれる。 | 充填+保圧解析のチップ キャビティの 3D モデルに、ワイヤー キャビティ領域は含まない。 |
| 充填+保圧解析のワイヤーが流動に与える影響を考慮する。 | 充填+保圧解析のワイヤーが流動に与える影響を考慮しない。 |
| ワイヤーは、チップ キャビティ メッシュの空洞領域に位置する、ワイヤー プロパティを持つ1D ビーム要素としてモデリング。 | ワイヤーは、ワイヤー プロパティを持つ1D ビーム要素としてモデリング。 |
ワイヤー スイープ詳細解析では、各ワイヤー キャビティは、チップ キャビティの 3D モデルで空洞領域としてモデリングします。これは、封止材がワイヤーによって占有される領域を充填できないためです。この方法で、充填+保圧解析では、ワイヤー キャビティ領域の周辺を封止材が流動するときのワイヤーが流動に与える影響も解析することができます。
高精度の解析結果を得るには、ワイヤー キャビティ領域の周辺のメッシュを改良する必要があります。ワイヤーは直径と比較して非常に長いため、通常のアスペクト比のガイドラインに従ってワイヤー キャビティ周辺のメッシュをすると、非常に多数の要素が必要となります。ワイヤー スイープ詳細解析で妥当な数の要素を使用するためには、チップ キャビティ メッシュのワイヤー キャビティ周辺要素のアスペクト比は高くなります。
各ワイヤーはワイヤー プロパティを持つ1D ビーム要素としてモデリングする必要があります。
ワイヤー要素は、3D チップ キャビティ メッシュ内のワイヤー キャビティを表す空洞内に位置するようにします。