为微芯片封装分析的晶片建模

要为微芯片封装晶片位移分析准备模型，可对晶片和芯片一起进行建模。表示晶片和芯片的网格会在分析执行过程中内部分隔开。

将成型工艺设置为“微芯片封装”，单击 （“主页”选项卡 > “成型工艺设置”面板 > “微芯片封装”），然后选择包含晶片位移的分析序列。

1. 创建芯片型腔模型网格。 芯片型腔被建模为上、下子型腔。这是填充+保压分析需要的零件网格。
2. 采用 Z 坐标，在上、下芯片型腔之间创建晶片网格。 这是晶片位移分析需要的网格。
3. 选择晶片网格单元并指定属性。
   1. 单击 （“几何”选项卡 > “属性”面板 > “指定”）。
   2. 单击“选择”以显示可指定的属性类型列表。 对于中性面或双层面网格模型，请选择
      • 对于中性面或双层面网格模型，请从三角形单元的属性类型列表中选择“导线架”。在“选择导线架”对话框中选择合适的导线架属性集，并检查“详细信息”是否正确。
      • 对于 3D 网格模型，请从四面体单元的属性类型列表中选择“零件镶件 (3D)”。在“选择零件镶件 (3D)”对话框中选择合适的零件镶件 (3D) 属性集，并检查“详细信息”是否正确。
      提示： 定义一个描述晶片的新属性集并为其指定唯一名称，以便将其与零件镶件 (3D)（默认）属性集相区别。
4. 单击“确定”以关闭“指定属性”对话框 必须通过应用约束来为封装过程中将被锁模的点设置边界条件。