半導体封止成形プロセスでは、次の解析順序を利用できます。
この成形プロセス シミュレーションは、次のメッシュ タイプで利用できます。
Midplane 
Dual Domain 
3D
| 解析順序 | メッシュ タイプ |
|---|---|
| 充填(圧縮性) |
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| 充填+保圧 |
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| 充填+ 保圧(圧縮性) |
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| 流動(非圧縮性) |
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| 充填+保圧+反り |
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| 充填+保圧+反り(圧縮性) |
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| 充填+保圧+ワイヤースイープ |
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| 流動+ワイヤースイープ+保圧(圧縮性) |
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| 流動+ワイヤースイープ(非圧縮性) |
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| 充填+保圧+ワイヤースイープ詳細 |
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| 充填+保圧+パドル シフト |
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| 充填+保圧+パドル シフト(圧縮性) |
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| 流動+パドル シフト(非圧縮性) |
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| 充填+保圧+ダイナミック パドル シフト |
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| 充填+保圧+パドル シフト+ワイヤースイープ |
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| 流動+保圧+ワイヤースイープ+パドル シフト(圧縮性) |
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| 流動+ワイヤースイープ+パドル シフト(非圧縮性) |
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| 充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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| ランナーバランス(圧縮性) |
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| ランナーバランス(非圧縮性) |
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| 冷却(FEM) |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧 |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧+反り |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧+ワイヤー スイープ詳細 |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧+パドル シフト |
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| 冷却(FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト |
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| 冷却 (FEM)+充填+保圧+パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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| 冷却 (FEM)+充填+保圧+ダイナミック パドル シフト+ワイヤー スイープ |
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要確認: 流動は解析順序(充填 + 保圧)を表します。
注: 3D メッシュ タイプでは、入力した pvT データに応じて解析が実行されるため、圧縮性または非圧縮性を選択するオプションはありません。
また、プロセス設定ウィザードからアクセスできる[ソルバー パラメータ]ダイアログ ボックスの[ベンディング解析]タブのオプションを選択すると 、[ベント解析](のみ)を実行できます。