芯片封装成型分析序列
以下分析序列适用于微芯片封装成型工艺：
此成型工艺模拟适用于以下网格类型：
中性面
Dual Domain
3D
| 分析序列 | 网格类型 |
|---|---|
| 填充（可压缩的） | |
| 填充 + 保压 |  |
| 填充 + 保压（可压缩的） | |
| 流动（不可压缩的） | |
| 填充 + 保压 + 翘曲 | |
| 填充 + 保压 + 翘曲（可压缩的） | |
| 填充 + 保压 + 金线偏移 | |
| 填充 + 保压 + 金线偏移（可压缩的） | |
| 流动 + 金线偏移（不可压缩的） | |
| 填充 + 保压 + 金线偏移详述 | |
| 填充 + 保压 + 晶片位移 | |
| 填充 + 保压 + 晶片位移（可压缩的） | |
| 流动 + 晶片位移（不可压缩的） | |
| 填充+保压+动态晶片位移 | |
| 填充 + 保压 + 晶片位移 + 金线偏移 | |
| 填充 + 保压 + 金线偏移 + 晶片位移（可压缩的） | |
| 流动 + 金线偏移 + 晶片位移（不可压缩的） | |
| 填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 | |
| 流道平衡（可压缩的） | |
| 流道平衡（不可压缩的） | |
| 冷却 (FEM) | |
| 冷却 (FEM) + 填充 + 保压 | |
| 冷却 (FEM) + 填充 + 保压 + 翘曲 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移详述 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+晶片位移 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+晶片位移+金线偏移 | |
| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 | |
相关：流是指分析序列（填充 + 保压）。
注意：对于 3D 网格类型，无法选择可压缩或不可压缩，因为分析运行取决于输入的 pvT 数据。
您还可以通过选择求解器参数对话框（可从“工艺设置向导”进行访问）的排气分析选项卡中的选项，运行排气分析（仅 ）。