此选项卡用于选择要在您从 DOE 生成器中的“变量”选项卡中选择的约束内研究的分析结果。
| 质量标准 | 分析目标：找出实现下述目标的条件 |
|---|---|
| 填充末端总体温度 |
将总体温度变化降至最小（仅适用于中性面和双层面网格类型）。 |
| 锁模力 |
使填充期间保持模具闭合所需的锁模力降至最小。 |
| 注射压力 |
使螺杆引起材料流动所需的压力降至最小，达到注塑机压力限制的 75% 或更低（包括流道时）。 |
| 剪切应力 |
使型腔中塑料流动层之间的剪切应力或摩擦降至最小，这些作用会导致塑料由于应力开裂而降解或失效（仅适用于中性面和双层面网格类型）。 |
| 缩痕深度 |
使可能由表面相对面的特征导致的缩痕深度降至最小。 |
| 流动前沿温度 |
使流动前沿温度变化降至最小，填充阶段的温度下降不应高于 2-5°C。 |
| 冷却时间 |
使冷却时间降至最短，从而使达到顶出的时间降至最短。 |
| 顶出时的体积收缩率 |
使整个零件的体积收缩率变化降至最小，从而减少翘曲。 |
| 保压结束时间 |
使达到保压结束所需的时间降至最短，从而优化周期时间（仅适用于中性面和双层面网格类型）。 |
| 零件重量/质量 |
使零件重量降至最小（不包括流道），从而缩短周期时间并降低生产成本。 |
| 冷却和冷却 (FEM) |
最小化 |
| 以下标准仅可用于共注射成型工艺和中性面网格。 | |
| 聚合物 A 的体积 |
使聚合物 A 的体积最小，从而确保为型芯材料留出足够空间。 |
| 聚合物 B 的体积 |
使聚合物 B 的体积最大，从而确保零件完全填充。 |
| 聚合物 A 的重量 |
使聚合物 A 重量最小，从而确保为型芯材料留出足够空间。 |
| 聚合物 B 的重量 |
使聚合物 B 的重量最大，从而确保零件完全填充。 |
| 质量标准 | 分析目标：找出实现下述目标的条件 |
|---|---|
| 平均型腔表面温度 |
使平均型腔表面温度最低，从而使周期时间降至最短并优化零件质量（仅适用于冷却 (FEM)）。 |
| 平均模具表面温度 |
使塑料与模具进行接触的塑料/金属界面处的模具温度降至最低，从而优化冷却时间。 |
| 回路压力 |
使回路压力降至最小，从而优化冷却系统。 |
| 回路雷诺数 |
使雷诺数变化降至最小，从而优化冷却液流动速率。 |
| 零件热通量(顶面/底面) |
使模具/零件界面的热通量变化降至最小，从而使周期时间和翘曲达到最小。 |
| 冻结层百分比 |
使冻结层百分比降至最低（仅适用于冷却 (FEM)），从而使潜在翘曲达到最小。 |
| 融化层百分比 |
使熔化层百分比降至最低（仅适用于冷却 (FEM)），从而使潜在翘曲达到最小。 |
| 回路冷却液温度 |
使输入冷却液到输出冷却液的温度变化降至最小，不应超过 2-3°C。 |
| 回路管壁温度 |
使整个周期中金属冷却回路的温度变化降至最小，不应超过入口温度 5°C 以上。 |
| 模具表面温度(顶面/底面) |
使塑料/金属界面处的模具温度变化降至最小，从而使冷却和翘曲问题的发生率降至最低。 |
| 温差，零件 |
使零件顶面和底面间的温度变化降至最小，不应超过 5°C（仅适用于中性面）。 |
| 冷却时间 |
使整个零件的冷却时间变化降至最小，从而优化周期时间。 |
| 最高零件温度 |
使零件温度降至最低，从而使周期时间和零件翘曲达到最小。 |
| 周期时间 |
使周期时间降至最短，从而使料流量达到最大，而使成本降至最低。 |
| 质量标准 | 分析目标：找出实现下述目标的条件 |
|---|---|
| 变形，所有效应 |
使变形变化降至最小，从而使翘曲达到最小。 |
| 质量标准 | 分析目标：找出实现下述目标的条件 |
|---|---|
| 小变形，应力 |
使变形变化降至最小，从而使翘曲达到最小。 |
| 大变形，应力 |
使变形变化降至最小，从而使翘曲达到最小。 |
| 最大剪切应力 |
使型腔中塑料流动层间的剪切应力变化降至最小，剪切应力会导致塑料由于应力开裂而降解或失效。 |
| Mises-Hencky 应力 |
使 Mises-Hencky 应力变化降至最小，Mises-Hencky 应力会导致塑料由于应力开裂而降解或失效。 |
| 质量标准 | 分析目标：找出实现下述目标的条件 |
|---|---|
| 线性收缩 |
使线性收缩变化降至最小。 |
| 线性收缩中的误差 |
使线性收缩变化降至最小。 |
| 质量标准 | 注释 |
|---|---|
| 第二次射出，填充末端总体温度 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 第二次射出，锁模力 | |
| 第二次射出，注射压力 | |
| 第二次射出，剪切应力 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 第二次射出，流动前沿温度 | |
| 第二次射出，冷却时间 | |
| 第二次射出，顶出时的体积收缩率 | |
| 第二次射出，保压结束时间 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 第二次射出，周期时间 |
仅适用于 3D |
| 第二次射出，零件质量/重量 |
| 质量标准 | 注释 |
|---|---|
| 晶片位移 |
仅适用于 3D |
| Von Mises 应力 |
仅适用于 3D |
| 金线偏移 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 第一主应力，金线 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 金线剪切应力 |
仅适用于中性面和双层面 |
| Mises-Hencky 应力，金线 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 金线偏移指数 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 平面内金线偏移 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 晶片位移 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 第一主应力，晶片 |
仅适用于中性面和双层面 |
| 晶片剪切应力 |
仅适用于中性面和双层面 |
| Mises-Hencky 应力，晶片 |
仅适用于中性面和双层面 |