金线偏移分析用于分析微芯片封装过程中将芯片连接到导线架的结合金线的变形。
“3D 微芯片封装”中包含金线偏移详述分析，该分析不仅可以将液体流动对金线的影响考虑在内，还可将金线对液体流动的影响考虑在内。要执行金线偏移详述分析，芯片型腔的 3D 模型必须包含金线型腔，该金线型腔在 3D 网格中被建模为缩孔区域。
| 金线偏移详述 | 金线偏移 |
|---|---|
| 对于填充+保压分析，芯片型腔的 3D 模型中涵盖金线型腔区域（建模为缩孔）。 | 对于填充+保压分析，芯片型腔的 3D 模型中未涵盖金线型腔区域。 |
| 在填充+保压分析中考虑金线对液体流动的影响。 | 在填充+保压分析中不考虑金线对液体流动的影响。 |
| 将金线建模为带有金线属性的一维柱体单元，并放置在芯片型腔网格的缩孔区域中。 | 将金线建模为带有金线属性的一维柱体单元。 |
对于金线偏移详述分析，在芯片型腔的 3D 模型中将每个金线型腔建模为缩孔区域。这是因为封装聚合物不会填充到金线所占据的区域。这样，当封装物填充到金线型腔区域的周围时，填充+保压分析就可将金线对液体流动的影响考虑在内。
需要细化金线型腔周围的网格以获得良好的分析结果。由于金线的长度与其直径相比非常长，如果按照典型的纵横比准则在金线型腔的周围划分网格将需要太多的单元。要为金线偏移详述分析使用合理数量的单元，芯片型腔网格将在金线型腔的附近包含高纵横比单元。
每条金线应该通过带有指定金线属性的一维柱体单元划分网格。
金线单元应该位于在 3D 芯片型腔网格中代表金线型腔的缩孔区域内。