“微芯片选项”选项卡对话框

“反应成型求解器参数 (3D)”对话框的“微芯片选项”选项卡用于为 3D 微芯片封装分析指定分析相关的输入值。

应力分析类型	此选项用于选择为预测晶片位移/金线偏移而运行的应力分析的类型。
进行金线偏移/晶片位移仿真，在	如果分析序列包括金线偏移和/或晶片位移模拟，则此选项用于指定将用于执行此模拟的求解器。
粘度定点温度	此选项用于定义计算材料粘度时的温度值下限。当预测的熔体温度低于该定点值时，则在此粘度定点温度时计算粘度。 注： 此选项专门用于出现收敛问题的 3D 反应分析，常用于具有低熔体温度的材料。通过将粘度定点温度设置为比熔体温度稍高的值即可解决这些收敛问题。
金线对流动的影响	所选分析序列包括“金线偏移”时，此选项用于指定分析是否要考虑金线对流动的影响。 默认设置为“不考虑”。 将设置更改为“考虑”可考虑金线对流动的影响以及相邻金线对阻力的影响。 注： 只有在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中执行金线偏移计算时才可使用此选项。 注： 金线偏移详述分析始终包括金线对流动的影响。因此，分析序列包括“金线偏移详述”时，“金线对流动的影响”选项设置对结果无影响。
金线间的关键间隙	所选分析序列包括金线偏移时，此选项用于定义被视为过于接近的相邻金线对中金线之间的距离（发生金线变形后）。间隙距离为相邻金线表面之间的距离。 默认值为 0，表示相邻金线可以相互接触。 如果要增大相邻金线之间的间隙，可指定大于零的值。 注： 只有在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中执行金线偏移计算时才可使用此选项。
镶件温度	此选项用于指定是将零件镶件和型芯温度设置为固定值，还是通过填充+保压分析计算。

若要指定在当前方案中这些选项的值，可双击“方案任务”窗格中的 “工艺设置”或单击 （“主页”选项卡 > “成型工艺设置”面板 > “工艺设置”）打开“工艺设置向导”。单击“下一步”显示“曲线设置”页面；单击“高级选项”；在“求解器参数”区域中单击“编辑”；然后单击“微芯片选项”选项卡。

要查看或更改这些选项的默认设置，可单击 （“工具”选项卡 > “数据库”面板 > “编辑默认属性”）；从“属性”列表中选择“参数”，然后从“描述”表格中选择“反应成型求解器参数默认 (3D)”；单击“编辑”；然后单击“微芯片选项”选项卡。