金線偏移分析可用來分析在微晶片封裝製程中將晶片連接到導線架的黏合金線的變形。
3D 微晶片封裝包含「金線偏移詳細資料」分析，它不僅說明流體流動對金線的影響，也說明金線對流體流動的影響。若要執行「金線偏移詳細資料」分析，晶片母模仁的 3D 模型必須包含金線母模仁，這些金線母模仁在 3D 網格中會塑型為縮孔區域。
| 金線偏移詳細資料 | 金線偏移 |
|---|---|
| 對於充填與保壓分析，金線母模仁區域包含 (塑型為縮孔) 在晶片母模仁的 3D 模型中。 | 對於充填與保壓分析，金線母模仁區域不包含在的晶片母模仁的 3D 模型中。 |
| 在充填與保壓分析中，會考慮金線對於流體流動的影響。 | 在充填與保壓分析中，不會考慮金線對於流體流動的影響。 |
| 會將金線塑型為具有金線性質的 1D 樑元素，位於晶片母模仁網格中的縮孔區域之內。 | 會將金線塑型為具有金線性質的 1D 樑元素。 |
針對「金線偏移詳細資料」分析，會將每一個金線母模仁塑型為晶片母模仁的 3D 模型中的縮孔區域。這是因為沒有封膠聚合物來充填金線所佔據的區域。如此一來，當封膠填滿整個金線母模仁區域時，充填與保壓分析便會考慮金線對流體流動的影響。
金線母模仁附近的網格需要細化，以獲得良好的分析結果。由於與金線的直徑比較起來，金線相當長，因此若要圍繞金線母模仁建立網格，以下典型縱橫比指導原則需要太多元素。若要針對「金線偏移詳細資料」分析使用合理數量的元素，晶片母模仁網格將在金線母模仁附近包含高縱橫比的元素。
每一條金線皆應以指定金線性質的 1D 樑元素建立網格。
金線元素應位於在 3D 晶片母模仁網格中代表金線母模仁的縮孔內。