微晶片封裝分析類型

「微晶片封裝」分析有數種不同的類型。

預處理分析會計算環氧成型化合物 (EMC) 預成型坯在放進釜中之後及轉注到模具中之前的溫度與固化分佈程度。一般而言，轉注釜的溫度高於預熱預成型坯的溫度，而預成型坯在釜中時會遭遇溫度與固化程度的變化。預處理分析會計算預成型坯的平均溫度與固化程度，並將資料傳送到後續充填與固化分析。如果您沒有預處理分析的資料，則可選擇忽略預處理分析。

模具充填與固化分析由「反應式成型」執行。

金線偏移分析會計算黏合金線 (將晶片連接至導線架) 在封裝過程中發生的變形。此計算可讓您改善模具設計與製程條件，防止在封裝過程中發生金線偏移。金線變形可在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 內部使用「翹曲」模組計算，或在外部使用 Abaqus 計算。

提示: 此設定在「微晶片封裝」分析的求解器參數的「執行金線偏移/晶墊偏移模擬於」選項中指定。

3D 微晶片封裝也支援金線偏移詳細資料分析，它說明金線對流體流動的影響，以及流體對金線的影響。3D 晶片母模仁模型必須包含金線母模仁與金線本身。與一般「金線偏移」分析相比，完成「金線偏移詳細資料」分析需要花費更多的時間，但變形計算可以更精確。

晶墊偏移分析會計算由於被導線架分隔開的兩個子母模仁中的壓力差異所產生的晶墊變形。「微晶片封裝」會計算母模仁中的壓力。由於母模仁中壓力差異所導致的導線架變形可在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 內部使用「翹曲」模組計算，或在外部使用 Abaqus 計算。

提示: 此設定在「微晶片封裝」分析的求解器參數的「執行金線偏移/晶墊偏移模擬於」選項中指定。

「3D 微晶片封裝」也支援動態晶墊偏移模擬，並且會在充填期間多次重複計算晶墊偏移。發生大型變形時，此分析可對最終晶墊偏移提供更準確的預測。動態晶墊偏移分析包括在壓力迭代期間執行「公模仁偏移」分析的選項，若已使用 3D 元素為晶墊塑型，則可使用此選項。但是，若已使用薄殼元素為晶墊塑型，則無法執行其他「公模仁偏移」分析。