求解器增強功能
已提供了一些增強功能，以提升分析求解器的效能。
本節主題
新結晶分析結果會顯示最終平均晶體大小分佈
新
「結晶: 最終平均晶體大小」
結果會顯示在頂出零件冷卻至環境溫度後的一瞬間，整個零件厚度中平均晶體大小的分佈。
改進了微細發泡射出成型分析的求解時間
針對微細發泡射出成型製程，分析求解器已得到增強，以取得更高的效率。
3D 元素的筒式加熱器增強功能
為了能模擬使用熱固性材料進行 3D 有限元素暫態模具冷卻，擴大了加熱器 (3D) 元素性質規格以包括其他控制功能：
「時間」
、
「時間與目標溫度」
及
「熱電偶」
。加熱器 (3D) 元素現在可用來模擬使用筒式加熱器，也可以模擬其原始角色來加熱熱流道。
3D 氣體輔助射出成型分析支援多個氣體圓柱
3D 求解器的功能已增強，可支援多個氣體圓柱，以分析氣體輔助射出成型製程，包括「
充填
」和「
充填與保壓
」分析順序。可以依壓力或體積指定氣體曲線。
3D 流求解器產生的新結果
我們增強了 3D 流求解器的功能，可產生先前僅中間平面與 Dual Domain 流求解器可產生的結果資料集。
由 3D「公模仁偏移」分析產生的「Von Mises 應力」結果的新名稱
由 3D 流求解器和「公模仁偏移」分析選項所產生的「Von Mises 應力」結果出圖，已經重新命名。
為 3D 微晶片封裝分析啟用的大型撓曲應力分析參數
現在，如果您在 3D 微晶片封裝分析中選取大型撓曲應力分析來執行金線偏移計算，則可以編輯與大型撓曲應力分析相關的求解器參數。
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