下表显示了适用于微芯片封装分析类型的分析技术。
执行中性面或双层面分析时，有两种求解器可供选择：
- 不可压缩的求解器
- 可压缩的求解器
可以使用的分析序列取决于正在使用的网格类型。
| 分析类型 | 分析技术 |
|---|---|
| 填充 |
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| 填充+保压（或流动） |
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| 填充+保压（或流动）+金线偏移 |
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| 金线偏移详述 |
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| 填充+保压（或流动）+晶片位移 |
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| 填充+保压+动态晶片位移 |
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| 填充+保压（或流动）+金线偏移+晶片位移 |
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| 填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 |
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| 填充 + 保压 + 翘曲 |
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| 翘曲1 |
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| 流道平衡 |
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| 排气（“工艺设置”选项） |
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| 冷却 (FEM) |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+金线偏移详述 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+晶片位移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+晶片位移+金线偏移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+动态晶片位移+金线偏移 |
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| 冷却 (FEM)+填充+保压+翘曲 |
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