“反应成型求解器参数 (3D)”对话框的“动态晶片位移”选项卡用于指定 3D 反应成型分析的晶片位移预测相关输入值。
| 型芯偏移分析的频率 | 在填充和保压阶段，型腔内不同位置处的压力变化巨大，因此需要反复执行型芯偏移分析多次以考虑这些压力变化。 |
| 在压力迭代期间进行型芯偏移分析 | 在填充+保压分析中的压力求解的迭代过程中，压力值变化将影响型芯偏移预测。此选项用于指定在压力求解迭代期间是否应该执行其他型芯偏移分析。 |
| 在型芯偏移分析期间更新网格 | 当预测的型芯偏移较大时，产生的网格变形可能使填充+保压分析不稳定，从而导致分析停止。如果出现这种情况，关闭此选项可以完成该分析，但解的精确度将略有降低。 |
| 填充阶段后计算型芯偏移 |
如果没有选中“充填阶段后计算型芯偏移”选项，则将仅在填充阶段计算型芯偏移。无论型芯位移在填充分析结束时如何，在保压过程中都假设其保持不变。 如果选中“填充阶段后计算型芯偏移”选项，则在保压过程中也继续计算型芯偏移。 |
| 分析型芯时，使用 | 指定在型芯应力分析中用于型芯单元的四面体单元的类型。 |
| 使用 AMG 矩阵求解器 | AMG 求解器使用逐渐粗糙的栅格进行计算来提升翘曲分析速度。 |