此设置可用于使用中性面或双层面网格类型的微芯片封装分析。
“金线偏移”分析用于计算封装过程中发生的接合线（将芯片连接到导线架）的变形。此计算可改善模具设计和工艺条件，以避免封装过程中发生金线偏移。
“晶片位移”分析用于计算由于导线架分隔开的两个子型腔之间的压力差导致的晶片变形。微芯片封装用于计算型腔中的压力。
变形可以使用翘曲模块在内部计算，也可以使用 Abaqus 在外部计算。
3D 微芯片封装也支持“动态晶片位移”模拟，其中晶片位移是在填充过程中多次重新计算所得。在发生巨大变形时，此分析可提供比较准确的最终晶片位移预测。动态晶片位移分析包括一个在压力迭代过程中执行型芯偏移分析的选项，只有使用 3D 单元构建晶片该选项才有效。如果晶片是用外壳单元建模的，则不能执行附加的型芯偏移分析。