“工艺设置向导”对话框 - 底层覆晶封装设置

此“工艺设置向导”页面用于为分析序列指定与底层覆晶封装相关的工艺设置。要访问此对话框，请确保已将成型工艺设置为“底层覆晶封装”。单击 （“主页”选项卡 > “成型工艺设置”面板 > “工艺设置”）以打开“底层覆晶封装设置”对话框。

初始封装温度	指定工艺开始时封装进入芯片型腔时刻的温度。 可假设这一温度与大多数情况下的底层温度相同。
初始封装转换	指定工艺开始之前封装的初始转换（固化）级别。 要指定转换级别，请输入一个介于 -1 和 1 之间的值，其中： -1 = 诱导期开始（如果相关） 0 = 转换开始 1 = 转换结束
底层温度	指定执行工艺过程中底层的温度。 底层温度对于确定潜流速度起着重要的作用。典型的底层温度值为 100°C / 212°F。
固化温度	热固性材料充分交链（从发热到形成固体或固化）的温度。
固化时间	热固性材料充分交链（从发热到形成固体并冻结）所需的时间。
动态分配分析	选中此复选框可启用动态分配。使用动态分配可以模拟通过多次操作完成的底层覆晶封装分配过程，在该过程中，各个注射位置在不同时间点打开以说明分配过程中存在时间延迟。 “执行动态分析”选项仅适用于 3D 模型。
高级选项...	显示分析的高级选项。