此設定適用於使用「中間平面」或 Dual Domain 網格類型的微晶片封裝分析。
「金線偏移」分析會計算黏合金線 (將晶片連接至導線架) 在封裝過程中發生的變形。此計算可讓您改善模具設計與製程條件，防止在封裝過程中發生金線偏移。
「晶墊偏移」分析會計算由於被導線架分隔開的兩個子母模仁中的壓力差異所產生的晶墊變形。「微晶片封裝」會計算母模仁中的壓力。
變形可在內部使用「翹曲」模組計算，或在外部使用 Abaqus 計算。
「3D 微晶片封裝」也支援「動態晶墊偏移」模擬，並且會在充填期間多次重複計算晶墊偏移。發生大型變形時，此分析可對最終晶墊偏移提供更準確的預測。動態晶墊偏移分析包括在壓力迭代期間執行「公模仁偏移」分析的選項，若已使用 3D 元素為晶墊塑型，則可使用此選項。但是，若已使用薄殼元素為晶墊塑型，則無法執行其他「公模仁偏移」分析。