底层覆晶封装分析用于分析底层覆晶封装过程中芯片和底层之间的型腔内封装材料的流动。
倒装芯片有时用于高密度电子封装。倒装芯片的优势是具有将芯片与底层互连的面阵。
倒装芯片工艺的薄弱之处是通常情况下将芯片连接至电路板的焊锡。工作时焊锡可能会损坏，这主要是由于与封装温度变化相关联的应力引起的。
底层覆晶封装是使用热固性密封材料填充芯片和底层之间的型腔的过程。这有助于在工作过程中保护焊锡。
多数情况下，底层覆晶封装通过沿芯片周边分配封装材料来完成。毛细力促使密封材料进入芯片和电路板之间的空隙。
底层覆晶封装过程中，由于分配头沿芯片边缘移动进行分配时存在延时，因此每个注射位置都在不同的时间打开。通常会发现，分配是通过多次操作来完成的，这样可以避免一次性分配大量密封材料时分配区域的密封材料过度扩散。这称为 动态分配 。“工艺设置向导”中的动态分配分析选项可以让您模拟这种情况。