此說明主題提供「微晶片封裝」分析產生之結果的概述。
圖形結果
下表列示「微晶片封裝」分析建立的圖形結果，並指出下列分析技術是否支援每個結果：
中間平面 
Dual Domain 
3D
「微晶片封裝」分析會產生下表所列的充填、固化以及應力結果。若要取得有關結果 (包括如何解釋顯示內容) 的更多資訊，請按一下結果名稱。
註: 產生的「微晶片封裝」結果將取決於網格類型，以及您設定的金線偏移/晶墊偏移相關求解器參數。您可以使用「製程設定精靈」中的進階求解器設定，選取小型撓曲或大型撓曲「應力」分析，還可以選取應透過 Autodesk Simulation Moldflow Insight 應力還是 Abaqus 執行金線偏移/晶墊偏移模擬。
提示: 若要有效顯示 3D「金線偏移」分析的結果，將結果視覺化選項啟用為「將 1D 元素顯示為段」很重要。若未啟用此選項，結果的顯示可能會非常慢，特別是在包含許多金線的模型上。
按一下 ，然後按一下，並在「最佳化記憶體以顯示結果」區域中按一下「將 1D 元素顯示為段」勾選方塊以啟用此選項。
| 流 (充填與保壓/充填與固化階段) 結果 | 分析技術 |
|---|---|
| 充填時間 |
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| 鎖模力 |
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| 壓力 |
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| 流速，樑 |
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| 平均速度 |
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| 公模仁配向 |
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| 表層配向 |
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| 剪切率，整體 |
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| 壁的剪應力 |
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| 製程結束時的整體轉換 1 |
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| 充填結束時的整體溫度 |
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| 整體溫度，節點 1 |
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| 固化圖層比率 1 |
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| 充填結束時的壓力 1 |
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| 積風 2 |
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| 射出位置的壓力 2 |
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| V/P 切換時的壓力 2 |
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| 流動波前溫度 2 |
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| 體積收縮 2 |
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| 體積收縮 (3D) |
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| 射出重量百分比 2 |
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| 整體轉換 2 |
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| 整體溫度 2 |
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| 凝固層比率 2 |
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| 澆口流動區域 2 |
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| 母模仁內第一主方向上的殘留應力 2 |
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| 母模仁內第二主方向上的殘留應力 2 |
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| 縮痕指數 2 |
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| 流量 2 |
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| 頂出時的體積收縮 2 |
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| 熔接線 2 |
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| 熔接線和熔合線 2 |
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| 積風，包括排氣孔 3 |
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| 節點處的轉換 |
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| 密度 |
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| 延伸率 |
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| 聚合物充填區域 |
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| 剪切率結果 (3D) |
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| 剪切率，最大值結果 |
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| 溫度結果 (3D) |
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| 未充填母模仁 4 |
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| 速度 (3D) |
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| 排氣孔區域壓力 3 |
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| 黏度 |
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| 壓力差，最大值 (晶墊偏移) 5 |
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| 體積變更 (流道平衡) |
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| 纖維配向分析結果 1 |
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| 應力/金線偏移與晶墊偏移結果 | 分析技術 |
| 撓曲 |
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| 第一主應力 (金線偏移/晶墊偏移) |
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| 第二主應力 (金線偏移/晶墊偏移) |
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| 最大剪應力 (金線偏移/晶墊偏移) |
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| 金線偏移指數 6 |
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| 撓曲，平面中 (金線偏移) 6 |
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| XY 撓曲 (金線偏移) 5 |
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| 金線數目結果 7 |
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| 最大金線撓曲程度 - 金線數目：XY 出圖結果 7 |
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| 最大金線偏移指數 - 金線數目: XY 出圖結果 7 |
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| 臨界間隙範圍內的金線對結果 7 |
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| 與最近金線之間的距離結果 7 |
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| 第一主方向上的應力 (應力) |
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| 第二主方向上的應力 (應力) |
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| 最大剪應力 (應力) |
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| 應力，Mises-Hencky (應力) |
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| 翹曲結果 | 分析技術 |
| 撓曲，所有影響 2 |
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註: 「微晶片封裝」充填、固化與翹曲結果與「反應式成型」的這些結果相同。
| 1 | 針對中間平面與 Dual Domain 分析技術，只有當您已選取包含「不可壓縮」求解器的分析順序時，才會產生這些結果。 |
| 2 | 針對中間平面與 Dual Domain 分析技術，只有當您已選取包含「可壓縮」求解器的分析順序時，才會產生這些結果。 |
| 3 | 只有在求解器參數中選取「執行排氣分析」選項時，才會取得此結果。 |
| 4 | 只有分析期間發生短射時，此結果才可用。 |
| 5 | 只有將 Abaqus 用於分析時，此結果才會顯示 |
| 6 | 若要計算此結果，必須在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中執行金線偏移計算。 |
| 7 | 若要計算此結果，分析順序必須包含「金線偏移」，並且必須在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中執行金線偏移計算。 |