本帮助主题概述了微芯片封装分析所生成的结果。
图形结果
下表列出了进行微芯片封装分析时创建的图形结果，并指明以下分析技术是否支持各个结果：
中性面 
双层面 
3D
微芯片封装分析会生成下表中列出的填充、固化和应力结果。有关某一结果的详细信息（包括如何解释显示内容），请单击结果名称。
注： 生成的微芯片封装结果将取决于所设置的与网格类型和金线偏移/晶片位移相关的求解器参数。通过在“工艺设置向导”中使用高级求解器设置，可以选择小变形或大变形应力分析，并且可以选择是否应通过 Autodesk Simulation Moldflow Insight 应力或 Abaqus 执行金线偏移/晶片位移仿真。
提示： 要有效地显示 3D 金线偏移分析的结果，必须启用结果查看选项“将一维单元显示为线段”。如果不启用此选项，结果显示可能会十分缓慢，尤其对于包含大量金线的模型。
单击 ，然后单击，在“优化内存以加快结果显示”区域中单击“将一维单元显示为线段”复选框以激活此选项。
| 流动（填充+保压/填充和固化阶段）结果 | 分析技术 |
|---|---|
| 填充时间 |
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| 锁模力 |
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| 压力 |
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| 流动速率，柱体 |
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| 平均速度 |
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| 心部取向 |
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| 表层取向 |
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| 剪切速率，体积 |
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| 壁上剪切应力 |
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| 工艺结束时的体积固化率 1 |
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| 填充末端总体温度 |
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| 总体温度，节点 1 |
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| 固化层因子 1 |
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| 充填结束时的压力 1 |
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| 气穴 2 |
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| 注射位置处压力 2 |
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| 速度/压力切换时的压力 2 |
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| 流动前沿温度 2 |
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| 体积收缩率 2 |
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| 体积收缩率(3D) |
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| % 射出重量 2 |
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| 体积固化率 2 |
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| 总体温度 2 |
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| 冻结层因子 2 |
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| 充填起点 2 |
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| 第一主方向上的型腔内残余应力 2 |
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| 第二主方向上的型腔内残余应力 2 |
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| 缩痕指数 2 |
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| 料流量 2 |
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| 顶出时的体积收缩率 2 |
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| 熔接线 2 |
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| 熔接线和熔合线 2 |
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| 气穴（包括排气槽） 3 |
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| 节点处转换 |
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| 密度 |
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| 拉伸速率 |
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| 聚合物填充区域 |
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| 剪切速率结果 (3D) |
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| “剪切速率，最大值”结果 |
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| 温度结果 (3D) |
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| 未充填的型腔 4 |
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| 速度(3D) |
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| 排气槽区域压力 3 |
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| 粘度 |
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| 压力差异，最大（晶片位移） 5 |
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| 体积更改（流道平衡） |
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| 纤维取向分析结果 1 |
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| 应力/金线偏移与晶片位移结果 | 分析技术 |
| 变形 |
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| 第一主应力（金线偏移/晶片位移） |
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| 第二主应力（金线偏移/晶片位移） |
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| 最大剪切应力（金线偏移/晶片位移） |
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| 金线偏移指数 6 |
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| 平面内变形（金线偏移） 6 |
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| XY 变形（金线偏移） 5 |
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| “金线编号”结果 7 |
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| “最大金线变形程度 - 金线编号：XY 图”结果 7 |
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| “最大金线偏移指数 - 金线编号：XY 图”结果 7 |
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| “关键间隙内的金线对”结果 7 |
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| “距最近金线的距离”结果 7 |
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| 第一主方向上的应力(应力) |
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| 第二主方向上的应力(应力) |
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| 最大剪切应力(应力) |
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| 应力，Mises-Hencky（应力） |
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| 翘曲结果 | 分析技术 |
| 变形，所有因素 2 |
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注： 微芯片封装的填充、固化和翘曲结果与反应成型的相应结果相同。
| 1 | 对于中性面和双层面分析技术，仅当选择了包含不可压缩求解器的分析序列时，才会生成这些结果。 |
| 2 | 对于中性面和双层面分析技术，仅当选择了包含可压缩求解器的分析序列时，才会生成这些结果。 |
| 3 | 只有在求解器参数中选中“执行排气分析”选项时，才能获得此结果。 |
| 4 | 仅当在分析过程中出现短射时，才会提供此结果。 |
| 5 | 仅当在分析中使用 Abaqus 时，才会显示此结果 |
| 6 | 若要计算此结果，必须在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中执行金线偏移计算。 |
| 7 | 若要计算此结果，分析序列必须包括“金线偏移”，并且必须在 Autodesk Simulation Moldflow Insight 中执行金线偏移计算。 |